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BLF6G10LS-200

功能描述：射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS

RoHS：否

制造商：Freescale Semiconductor

配置：Single

晶体管极性：

频率：1800 MHz to 2000 MHz

增益：27 dB

输出功率：100 W

汲极/源极击穿电压：

漏极连续电流：

闸/源击穿电压：

最大工作温度：

封装 / 箱体：NI-780-4

封装：Tray

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BLF6G10LS-260PRN,1

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